第三百八十四章 MOCVD(1/3)
第三百八十四章>
目前,发展较好的宽禁带半导体主要是i这两种。>
在燕大的半导体研究中心这,主要研究的宽禁带半导体对象是a。>
在a基宽禁带半导体领域,该研究中心一直处于国内领先地位。>
注册拥有的和a宽禁带半导体有关的发明专利,多达二十多个。>
包括a基外延层的大面积、低功率激光剥离方法,铟镓氮单晶薄膜外延生长技术等等。>
第三代宽禁带半导体拥有良好的物理化学性能,可应用在诸多的领域。>
而现在,根据第三代半导体的发展情况,其主要应用为半导体照明、电力电子器件、激光器和探测器、以及其他4个领域。>
各个领域产业成熟度各不相同。>
但在前沿研究领域,宽禁带半导体还处于实验室研发阶段。>
目前市面上主流的半导体,还是以第一代半导体和第二代半导体为主。>
其原因嘛……>
当然是第三代宽禁带半导体还有很多技术难题没有攻克。>
燕大的半导体研究所正在进行的工作,就是全力攻克这些难题,早日实现第三代半导体技术的彻底成熟,应用于市场。>
…………>
宽禁带半导体实验室,顾律三人穿着深棕色的实验服,在张主任的带领下走进去。>
实验室的面积很大。>
将近有半个篮球场的大小。>
一眼望去,可以看到实验室内数位研究员在各台仪器前紧张的忙碌着。>
“主任好。”>
“主任好。”>
几位年轻的研究员助理见到张主任进来,客气的打招呼。>
张主任点点头,然后摆摆手,“你们接着忙,接着忙。”>
“我们先去那边吧。”张主任压低声音,询问顾律。>
顾律点头一笑。>
张主任带着顾律来到一台一个高的长方形设备面前。>
“这个就是我们实验室的了!”张主任拍拍设备外面的铁壳,笑着为顾律介绍。>
顾律上下打量了这台设备一番。>
所谓的,是在气相外延生长的基础上发展起来的一种新型气相外延生长技术。>
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